根据战略发展规划，综合考虑公司未来核心技术研发的参与情况与业务发展贡献等实际情况，经管理层研究，其现对核心技术人员进行调整。

8月25日，中微半导体设备(上海)股份有限公司 (以下简称“中微公司”)发布公告称，根据战略发展规划，综合考虑公司未来核心技术研发的参与情况与业务发展贡献等实际情况，经管理层研究，其现对核心技术人员进行调整。新增丛海、陶珩、姜勇、陈煌琳、刘志强、何伟业为公司核心技术人员，原核心技术人员杜志游、麦仕义、李天笑因工作职责调整，不再认定为公司核心技术人员，但仍继续在公司任职。

中微公司称，其与杜志游、麦仕义、李天笑签署分别签署了《保密协议》及《雇员保密 信息和发明协议》，对各方的权利义务进行了约定。截至本公告披露日，该公司未发现上述人员有违反上述相关协议的情形。不过，据《国际电子商情》查阅公告获悉，中微公司原核心技术人员杜志游、麦仕义、李天笑均为美国国籍，这或许成为被剔除“核心技术人员”名单之外的重要原因，而新增这部分人员国籍主要是中国和新加坡国籍。

该公司指出，核心技术人员职务调整不会影响公司拥有的核心技术及其专利权属 完整性，亦不会对公司的核心竞争力、研发技术及持续经营能力产生实质性影响。该公司本次新增认定核心技术人员，有助于公司各项研发项目有序高效推进， 并支持公司未来核心产品的技术升级，推动公司多产品布局的战略实现。

上半年归母净利润同比增长114.4%

根据同日发布的年报显示，2023年1-6月，中微公司实现营收25.27亿元，同比增长28.13%;归母净利润10.03亿元，较上年同期约5.35亿增长114.4%。其中，刻蚀设备收入为17.22亿元，较去年同期增长32.53%;MoCVD设备收入为2.99亿元，同比增长为24.11%。

中微公司表示，其累计已有约3700个等离子体刻蚀和化学薄膜的反应台，在中国本土、亚洲和欧洲的 100 多条生产线，全面实现了量产和大量重复性销售，在过去的十年中在线总台数的年平均增长超过35%。

中微公司董事长兼总经理尹志尧表示，14纳米以下的微观结构多靠等离子体刻蚀和薄膜沉积的组合一多重模板技术加工出来，同时由于存储器件的芯片结构从两维到三维结构的转变，等离子体刻蚀和薄膜沉积更成为最关键及需要最多的工艺步骤。特别是等离子体刻蚀设备是制程步骤最多、工艺过程开发难度最高、市场增长最快的设备，占半导体前道设备总市场的约 22%。中微公司开发的导体化学薄膜沉积设备LPCVD和外延设备EPI也是最关键的设备品类。此外，中微通过投资布局了集成电路第四大设备市场一光学检测设备。公司另一类主打产品MOCVD设备，是三五族化合物半导体制造的最关键的核心设备，该高端外延设备的应用从照明，向大面积显示屏、功率器件、微显示等新兴领域迅速扩展，市场领域扩展迅猛。

此外，该公司计划进一步完善先进CVD和ALD设备产品线，以提供先进导体CVD/ALD更多品类解决方案。目前，其还在筹划开发用于更先进微观器件制程的薄膜设备和刻蚀设备。中微推出的一系列微观加工的设备产品已在性能和性价比上都进入国际三强行列，部分产品甚至进入二强和一强地位。

中微公司表示，对设备企业来说单一的产品，单一的产业布局，面对行业发展周期，是很难保证持续稳定发展的。中微公司坚持“三维发展”战略，在持续聚焦集成电路关键设备领域、继续扩展几个泛半导体关键设备领域的基础上，不断探索公司核心技术在其他新兴领域和国计民生上的发展机会。

鉴于此，中微公司开发更多有竞争力的设备产品，同时通过投资和并购布局，实现外延更快的横向发展。比如该公司积极谨慎布局产业链上下游重点领域，参股投资的天岳先进、拓荆科技、德龙激光、晶升股份完成科创板上市。仅今年上半年，该公司完成睿励仪器的部分股权受让，进一步巩固产业链协同效应，完善公司业务布局。

人均年化营收达350万元，

研发人员占比达43.39%

在研发投入方面，上半年，中微公司研发投入费用为4.6亿元，占营收的比重为18.22%;累计申请专利2359项，其中发明专利1991项，占比超过84%。

报告显示，中微公司全球员工数量为1461人，人均年化营收达350万元。其中，研发人员数量为634人，占比达43.39%，在研发人员中，硕士、博士研究生占比达47.64%，

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